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IRF7466
SO-8 Package Details
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-B -
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IN C H E S
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.05 32 .06 88
M ILLIM E T E R S
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1.3 5 1.75
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.00 40
.01 4
.00 98
.01 8
0.1 0
0.3 6
0.25
0.46
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M
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.00 75
.18 9
.009 8
.196
0.19
4.80
0.25
4.98
E
.15 0
.15 7
3.8 1
3.99
e
6X
e1
A
θ
θ
K x 4 5°
e
e1
H
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.05 0 B A S IC
.02 5 B A S IC
.22 84 .244 0
.01 1 .01 9
1.27 B A S IC
0 .635 B A S IC
5.8 0 6.20
0.2 8 0.48
-C -
B 8X
0 .2 5 (.0 1 0 )
A1
M C A S B S
0 .1 0 (.0 0 4 )
L
8X
6
C
8X
L
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0.16 .05 0 0.4 1
0° 8° 0°
R E C O M M E N D E D F O O T P R IN T
1.27
8°
NOTES:
1 . D IM E N S IO N IN G A N D T O L E R A N C IN G P E R A N S I Y 1 4 .5 M -1 9 8 2 .
2 . C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : IN C H .
3 . D IM E N S IO N S A R E S H O W N IN M IL L IM E T E R S (IN C H E S ).
0 .7 2 (.0 2 8 )
8X
4 . O U T L IN E C O N F O R M S T O J E D E C O U T L IN E M S -0 1 2 A A .
5 D IM E N S IO N D O E S N O T IN C L U D E M O L D P R O T R U S IO N S
M O L D P R O T R U S IO N S N O T T O E X C E E D 0 .2 5 (.0 0 6 ).
6 D IM E N S IO N S IS T H E L E N G T H O F L E A D F O R S O L D E R IN G T O A S U B S T R A T E ..
6 .4 6 ( .2 5 5 )
1 .2 7 ( .0 5 0 )
1 .7 8 (.0 7 0 )
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3X
SO-8 Part Marking
www.irf.com
7
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